小柚

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个人总结

微电子学硕士,聚焦BCD工艺整合与LDMOS器件优化。熟悉半导体制造全流程,具备扎实的PIE工程思维。在实习期间主导良率提升专项,通过DOE实验将关键层缺陷密度降低18%。擅长使用JMP、Minitab进行数据分析,致力于在功率半导体领域深耕,解决高电压器件可靠性难题。

工作经历

PIE工艺整合实习生

士兰微电子

2025-07 - 2025-12
  • 参与0.18μm BCD工艺平台的良率提升项目,负责光刻与刻蚀环节的异常分析,利用FMEA工具识别出3个关键风险点,协助工程师制定改进措施后,该模块一次通过率(FPY)从92%提升至95.5%。
  • 独立承担LDMOS器件终端结构优化的DOE实验设计,通过调整场氧厚度与注入剂量,成功将器件的击穿电压波动范围控制在±3V以内,显著提升了产品一致性。
  • 编写自动化脚本处理每日生产测试数据,将原本需人工耗时2小时的报表生成时间缩短至15分钟,并建立了关键参数SPC监控看板,提前预警了2次潜在的工艺漂移。

器件测试与失效分析助理

厦门联芯集成

2025-01 - 2025-03
  • 协助资深工程师对产线反馈的低良率批次进行失效定位,运用OBIRCH和EMMI技术锁定漏电位置,确认了金属层台阶覆盖不良是主要原因,推动制程部门优化了PVD沉积参数。
  • 整理并归档了近半年的可靠性测试报告,构建了常见的失效模式知识库,帮助团队将新入职员工的培训周期缩短了30%。

项目经历

高压LDMOS器件可靠性研究与优化

西安电子科技大学微电子学院

2024-03 - 2025-05
  • 针对车载应用中的LDMOS器件热载流子注入(HCI)退化问题,设计并执行了长达1000小时的应力测试,结合TCAD仿真分析了界面态产生机制,提出了栅氧化层氮化改进方案。
  • 通过优化源漏延伸区注入工艺,在保持击穿电压大于60V的前提下,将比导通电阻降低了12%,相关成果撰写成论文并被IEEE ISPSD会议收录。
  • 负责搭建器件可靠性测试平台,协调实验室资源完成HTGB(高温栅偏)和HTRB(高温反偏)测试,累计测试样品超500颗,数据复现性达到98%以上。

BCD工艺中浅沟槽隔离(STI)应力效应分析

西安电子科技大学微电子学院

2023-10 - 2024-02
  • 研究STI工艺引入的机械应力对邻近NMOS器件迁移率的影响,利用Raman光谱仪测量不同沟道宽度下的应力分布,建立了应力与电学性能的关联模型。
  • 提出一种改进的氧化退火工艺窗口,有效缓解了局部应力集中问题,使边缘泄漏电流减少了约25%,该方案被课题组后续项目采纳作为标准工艺流程的一部分。

教育背景

西安电子科技大学

硕士 · 微电子学与固体电子学

2023-09 - 2026-06

杭州电子科技大学

本科 · 电子信息科学与技术

2019-09 - 2023-06

技能专长

工艺整合与制造

BCD工艺 · PIE流程 · LDMOS器件 · STI隔离 · 光刻/刻蚀/薄膜

器件仿真与设计

Sentaurus TCAD · Silvaco · Layout Editor · DRC/LVS验证

数据分析与良率

JMP · Minitab · SPC控制 · DOE实验设计 · FMEA分析

可靠性测试

HTGB/HTRB · HCI测试 · ESD防护 · 失效分析(OBIRCH/EMMI)

编程语言

Python · Tcl · SQL

校招简历入门2026/5/26

半导体工艺工程师简历范文(电子/半导体/集成电路校招)

半导体工艺工程师 电子/半导体/集成电路 硕士应届生

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